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起订量:5
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5 | ¥1.767048 | ¥8.84 |
50 | ¥1.408197 | ¥70.41 |
150 | ¥1.254341 | ¥188.15 |
500 | ¥1.059618 | ¥529.81 |
2500 | ¥0.974166 | ¥2435.41 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.2 A
漏源电阻 34 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 8.8 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 158 mg
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0DMG6968UTS-13
型号:DMG6968UTS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
5+: | ¥1.767048 |
50+: | ¥1.408197 |
150+: | ¥1.254341 |
500+: | ¥1.059618 |
2500+: | ¥0.974166 |
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