
货期:(7~10天)
起订量:34
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 34 | ¥5.686165 | ¥193.33 |
| 50 | ¥5.458631 | ¥272.93 |
| 100 | ¥5.231099 | ¥523.11 |
| 300 | ¥5.003897 | ¥1501.17 |
| 500 | ¥4.776364 | ¥2388.18 |
| 1000 | ¥4.548832 | ¥4548.83 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 540 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 60 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0TK7P60W5,RVQ
型号:TK7P60W5,RVQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 34+: | ¥5.686165 |
| 50+: | ¥5.458631 |
| 100+: | ¥5.231099 |
| 300+: | ¥5.003897 |
| 500+: | ¥4.776364 |
| 1000+: | ¥4.548832 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00