EFC4621R-TR
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥1.636007 | ￥8180.03 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 24 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 12.5 V, + 12.5 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 28000 ns
上升时间 600 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 26000 ns
典型接通延迟时间 340 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 68.400 mg
EFC4621R-TR 同类别型号
注
EFC4621R-TR品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、EFC4621R-TR
数据手册PDF。
EFC4621R-TR
型号：EFC4621R-TR
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5000+： | ￥1.636007 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00