
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥22.261192 | ¥22.26 |
| 10 | ¥19.942317 | ¥199.42 |
| 100 | ¥16.032034 | ¥1603.20 |
| 500 | ¥13.172265 | ¥6586.13 |
| 1000 | ¥10.914212 | ¥10914.21 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 44 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
正向跨导(Min) 0.8 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0R6003KND3TL1
型号:R6003KND3TL1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥22.261192 |
| 10+: | ¥19.942317 |
| 100+: | ¥16.032034 |
| 500+: | ¥13.172265 |
| 1000+: | ¥10.914212 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.26