货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥19.415375 | ¥19.42 |
10 | ¥17.392939 | ¥173.93 |
100 | ¥13.982537 | ¥1398.25 |
500 | ¥11.488355 | ¥5744.18 |
1000 | ¥9.518965 | ¥9518.97 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 44 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
正向跨导(Min) 0.8 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0R6003KND3TL1
型号:R6003KND3TL1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.415375 |
10+: | ¥17.392939 |
100+: | ¥13.982537 |
500+: | ¥11.488355 |
1000+: | ¥9.518965 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.42