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DMTH10H010SPSQ-13

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMTH10H010SPSQ-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50
渠道:
digikey

库存 :1990

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 100 A

漏源电阻 8.8 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 56.4 nC

耗散功率 166 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 29.5 ns

上升时间 22.5 ns

典型关闭延迟时间 44.8 ns

典型接通延迟时间 18.6 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 97 mg

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DMTH10H010SPSQ-13

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型号:DMTH10H010SPSQ-13

品牌:DIODES

供货:锐单

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