SIA777EDJ-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIA777EDJ-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.585498 | ￥7756.49 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIA777EDJ-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
FET 类型
N and P-Channel
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
20V, 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.5A, 4.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
225mOhm @ 1.6A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
2.2nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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功率 - 最大值
5W, 7.8W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
PowerPAK® SC-70-6 Dual
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6 Dual
SIA777EDJ-T1-GE3 同类别型号
注
SIA777EDJ-T1-GE3
型号：SIA777EDJ-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥2.585498 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00