货期: 8周-10周
起订量:568
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
568 | ¥0.291763 | ¥165.72 |
750 | ¥0.258065 | ¥193.55 |
3000 | ¥0.243665 | ¥731.00 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 115 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 -
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
购物车
0DMN66D0LDW-7
型号:DMN66D0LDW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
568+: | ¥0.291763 |
750+: | ¥0.258065 |
3000+: | ¥0.243665 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00