DMN2016LHAB-7
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- 制造商编号：
- DMN2016LHAB-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.662241 | ￥1.66 |
| 10 | ￥1.268105 | ￥12.68 |
| 30 | ￥1.195618 | ￥35.87 |
| 100 | ￥1.123297 | ￥112.33 |
| 500 | ￥1.091099 | ￥545.55 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 7.5 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 16 nC
耗散功率 1.65 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
DMN2016LHAB-7 同类别型号
注
DMN2016LHAB-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMN2016LHAB-7
数据手册PDF
。
DMN2016LHAB-7
型号：DMN2016LHAB-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.662241 |
| 10+： | ￥1.268105 |
| 30+： | ￥1.195618 |
| 100+： | ￥1.123297 |
| 500+： | ￥1.091099 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.66