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整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥448.493642 | ¥448.49 |
制造商 onsemi
产品 IGBT Silicon Carbide Modules
商标 onsemi
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 2.2 V
在25 C的连续集电极电流 40 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
耗散功率 103 W
栅极/发射极最大电压 20 V
技术 SiC
产品种类 IGBT 模块
安装风格 Press Fit
产品类型 IGBT Modules
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0NXH80B120H2Q0SG
型号:NXH80B120H2Q0SG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥448.493642 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥448.49