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NXH80B120H2Q0SG

ON(安森美)
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制造商编号：
NXH80B120H2Q0SG
制造商：
ON(安森美)
产品类别：
晶体管IGBT
商品描述：
PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
渠道：
国内现货
digikey

库存 ：有货

货期：国内（1~3工作日）

起订量：1

整装： ￥10

定价（含税）

数量 价格 总计
1 ￥553.733839 ￥553.73

规格参数

关键信息

制造商 onsemi

产品 IGBT Silicon Carbide Modules

商标 onsemi

技术类参数

配置 Dual

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V

饱和电压 2.2 V

在25 C的连续集电极电流 40 A

栅极—射极漏泄电流 200 nA

耗散功率 103 W

栅极/发射极最大电压 20 V

技术 SiC

物理类型

产品种类 IGBT 模块

安装风格 Press Fit

产品类型 IGBT Modules

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注

NXH80B120H2Q0SG品牌厂家：ON ，所属分类： 晶体管IGBT ，可在锐单商城现货采购NXH80B120H2Q0SG、查询NXH80B120H2Q0SG代理商； NXH80B120H2Q0SG价格批发咨询客服；这里拥有 NXH80B120H2Q0SG中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到NXH80B120H2Q0SG 替代型号 、NXH80B120H2Q0SG 数据手册PDF。

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NXH80B120H2Q0SG

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型号：NXH80B120H2Q0SG

品牌：ON

供货：锐单

库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1

单价：

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货期：1-2天

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