货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥1.449745 | ¥1.45 |
10 | ¥1.105993 | ¥11.06 |
30 | ¥1.042774 | ¥31.28 |
100 | ¥0.979697 | ¥97.97 |
500 | ¥0.951616 | ¥475.81 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 7.5 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 16 nC
耗散功率 1.65 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
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0DMN2016LHAB-7
型号:DMN2016LHAB-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥1.449745 |
10+: | ¥1.105993 |
30+: | ¥1.042774 |
100+: | ¥0.979697 |
500+: | ¥0.951616 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥1.45