GSID600A120S4B1
库存 ：12
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2209.644707 | ￥2209.64 |
| 10 | ￥2116.311762 | ￥21163.12 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
GSID600A120S4B1
制造商
SEMIQ
商品描述
IGBT MOD 1200V 1130A 3060W
包装
-
系列
Amp+™
零件状态
Active
IGBT 类型
-
配置
Half Bridge
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
1130A
功率 - 最大值
3060W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.1V @ 15V, 600A
电流 - 集电极截止（最大值）
1mA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
51nF @ 25V
输入
Standard
NTC 热敏电阻
Yes
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
Module
供应商器件封装
Module
GSID600A120S4B1 同类别型号
注
GSID600A120S4B1
型号：GSID600A120S4B1
品牌：SEMIQ
供货：锐单
库存：12 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2209.644707 |
| 10+： | ￥2116.311762 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2209.64