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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.5 A, 6.2 A
漏源电阻 22 mOhms, 29 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 6 nC, 10.9 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.3 ns, 40.4 ns
上升时间 4.4 ns, 17.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 22.3 ns, 60.5 ns
典型接通延迟时间 3.3 ns, 9.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMC3026LSD-13
型号:DMC3026LSD-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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