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SQD100N03-3M4_GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SQD100N03-3M4_GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:2000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
2000 4.831443 9662.89
6000 4.392189 26353.13
10000 4.189472 41894.72

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 100 A

漏源电阻 2.8 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 124 nC

耗散功率 136 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 10 ns

正向跨导(Min) 108 S

上升时间 10 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 37 ns

典型接通延迟时间 13 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 330 mg

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SQD100N03-3M4_GE3

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型号:SQD100N03-3M4_GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

2000+: ¥4.831443
6000+: ¥4.392189
10000+: ¥4.189472

货期:1-2天

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