EFC6601R-TR
库存 ：5000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.089739 | ￥8.09 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 24 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 11.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 -
栅极电荷 48 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 68.400 mg
EFC6601R-TR 同类别型号
注
EFC6601R-TR品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、EFC6601R-TR
数据手册PDF。
EFC6601R-TR
型号：EFC6601R-TR
品牌：ON
供货：锐单
库存：5000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.089739 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.09