IXDN75N120
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IXDN75N120
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管IGBT
- 商品描述：
- IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥209.835903 | ￥209.84 |
| 10 | ￥193.517932 | ￥1935.18 |
| 100 | ￥165.252936 | ￥16525.29 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
配置 Single Dual Emitter
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 20 V
集电极连续电流 150 A
集电极连续电流（Max） 150 A
外形参数
高度 9.6 mm
长度 38.2 mm
宽度 25.07 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 30 g
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注
IXDN75N120品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管IGBT
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替代型号
、IXDN75N120
数据手册PDF。
IXDN75N120
型号：IXDN75N120
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥209.835903 |
| 10+： | ￥193.517932 |
| 100+： | ￥165.252936 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥209.84