DMT3022UEV-13
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMT3022UEV-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.9951 | ￥8985.30 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 13.9 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
DMT3022UEV-13 同类别型号
注
DMT3022UEV-13
型号：DMT3022UEV-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥2.9951 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00