
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥48.606753 | ¥48.61 |
| 10 | ¥40.829672 | ¥408.30 |
| 100 | ¥33.028289 | ¥3302.83 |
| 500 | ¥29.358765 | ¥14679.38 |
| 1000 | ¥25.138413 | ¥25138.41 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 163 A
漏源电阻 1.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 80.6 nC
耗散功率 117 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 155 S
上升时间 78 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0NVD5C434NT4G
型号:NVD5C434NT4G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥48.606753 |
| 10+: | ¥40.829672 |
| 100+: | ¥33.028289 |
| 500+: | ¥29.358765 |
| 1000+: | ¥25.138413 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥48.61