DMN3033LSD-13
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMN3033LSD-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥1.608645 | ￥4021.61 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.9 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 30 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 63 ns
典型接通延迟时间 11 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5.3 mm
宽度 4.1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 851 mg
DMN3033LSD-13 同类别型号
注
DMN3033LSD-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMN3033LSD-13
数据手册PDF
。
DMN3033LSD-13
型号：DMN3033LSD-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥1.608645 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00