A1P50S65M2-F
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整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 36 | ￥532.784195 | ￥19180.23 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
A1P50S65M2-F
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
包装
-
系列
-
零件状态
Active
IGBT 类型
Trench Field Stop
配置
Three Phase Inverter
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
50A
功率 - 最大值
208W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.3V @ 15V, 50A
电流 - 集电极截止（最大值）
100µA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
4.15nF @ 25V
输入
Standard
NTC 热敏电阻
Yes
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
Module
供应商器件封装
ACEPACK™ 1
A1P50S65M2-F 同类别型号
注
A1P50S65M2-F
型号：A1P50S65M2-F
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 36+： | ￥532.784195 |
货期：7-10天
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