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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.893108 | ¥5679.32 |
6000 | ¥1.793488 | ¥10760.93 |
9000 | ¥1.660664 | ¥14945.98 |
30000 | ¥1.644204 | ¥49326.12 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 9.6 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 57.4 nC
耗散功率 2.14 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13.7 ns
上升时间 20.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 42.5 ns
典型接通延迟时间 8.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMN2013UFX-7
型号:DMN2013UFX-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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3000+: | ¥1.893108 |
6000+: | ¥1.793488 |
9000+: | ¥1.660664 |
30000+: | ¥1.644204 |
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