STL12N60M2
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- 制造商编号：
- STL12N60M2
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥206.839805 | ￥206.84 |
| 10 | ￥185.971651 | ￥1859.72 |
| 100 | ￥149.441758 | ￥14944.18 |
| 500 | ￥122.777276 | ￥61388.64 |
| 1000 | ￥111.61515 | ￥111615.15 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL12N60M2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
MDmesh™ M2
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
495mOhm @ 4.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
16nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
538pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
52W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (5x6) HV
封装/外壳
8-PowerVDFN
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注
STL12N60M2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STL12N60M2
数据手册PDF。
STL12N60M2
型号：STL12N60M2
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥206.839805 |
| 10+： | ￥185.971651 |
| 100+： | ￥149.441758 |
| 500+： | ￥122.777276 |
| 1000+： | ￥111.61515 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥206.84