货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥4.900515 | ¥12251.29 |
5000 | ¥4.667163 | ¥23335.82 |
12500 | ¥4.451719 | ¥55646.49 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 7.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 49 nC
耗散功率 96 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19.1 ns
上升时间 15.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 7.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 97 mg
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0DMT12H007LPS-13
型号:DMT12H007LPS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥4.900515 |
5000+: | ¥4.667163 |
12500+: | ¥4.451719 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00