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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Comchip Technology
商标 Comchip Technology
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 26 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 us
正向跨导(Min) 1 S
上升时间 4.6 us
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 us
典型接通延迟时间 0.9 us
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
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0CMSBN4615-HF
型号:CMSBN4615-HF
品牌:COMCHIP
供货:锐单
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货期:7-10天
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