货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥20.152817 | ¥20.15 |
10 | ¥16.769135 | ¥167.69 |
100 | ¥13.343156 | ¥1334.32 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 140 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 3.13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 180 ns
正向跨导(Min) 18.5 S
上升时间 300 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQB19N20LTM_NL
单位重量 4 g
购物车
0FQB19N20LTM
型号:FQB19N20LTM
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥20.152817 |
10+: | ¥16.769135 |
100+: | ¥13.343156 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.15