SI8902AEDB-T2-E1
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- 制造商编号：
- SI8902AEDB-T2-E1
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：6000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 6000 | ￥3.536294 | ￥21217.76 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 24 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 5.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 us
正向跨导（Min） 15 S
上升时间 3.5 us
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 us
典型接通延迟时间 1.5 us
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 128.380 mg
SI8902AEDB-T2-E1 同类别型号
注
SI8902AEDB-T2-E1
型号：SI8902AEDB-T2-E1
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 6000+： | ￥3.536294 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00