货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.29527 | ¥19.30 |
10 | ¥17.294718 | ¥172.95 |
100 | ¥13.899697 | ¥1389.97 |
500 | ¥11.419486 | ¥5709.74 |
1000 | ¥9.461904 | ¥9461.90 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 6.8 A
漏源电阻 660 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 13 ns
典型关闭延迟时间 52 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0TK7P65W,RQ
型号:TK7P65W,RQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.29527 |
10+: | ¥17.294718 |
100+: | ¥13.899697 |
500+: | ¥11.419486 |
1000+: | ¥9.461904 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.30