
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥22.123484 | ¥22.12 |
| 10 | ¥19.829699 | ¥198.30 |
| 100 | ¥15.937052 | ¥1593.71 |
| 500 | ¥13.093302 | ¥6546.65 |
| 1000 | ¥10.848787 | ¥10848.79 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 6.8 A
漏源电阻 660 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 13 ns
典型关闭延迟时间 52 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0TK7P65W,RQ
型号:TK7P65W,RQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥22.123484 |
| 10+: | ¥19.829699 |
| 100+: | ¥15.937052 |
| 500+: | ¥13.093302 |
| 1000+: | ¥10.848787 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.12