DMT6018LDR-13
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- 制造商编号：
- DMT6018LDR-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：10000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥4.149674 | ￥41496.74 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, NPN
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 8.8 A
漏源电阻 13 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 13.9 nC
耗散功率 1.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.5 ns
上升时间 4.6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.8 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 200 g
DMT6018LDR-13 同类别型号
注
DMT6018LDR-13
型号：DMT6018LDR-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10000+： | ￥4.149674 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00