货期: 8周-10周
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2000 | ¥4.138649 | ¥8277.30 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.1 A, 2.4 A
漏源电阻 60 mOhms, 115 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 3 V
栅极电荷 11.5 nC, 8.9 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 21 ns, 37.8 ns
上升时间 11 ns, 11.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 61 ns, 79.8 ns
典型接通延迟时间 9.6 ns, 7.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMC6070LND-7
型号:DMC6070LND-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥4.138649 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00