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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥2.190409 | ¥6571.23 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 14.3 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 750 mV
栅极电荷 5.7 nC
耗散功率 2.16 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2 ns, 2.2 ns
上升时间 6.2 ns, 6.7 ns
典型关闭延迟时间 9.7 ns, 10.4 ns
典型接通延迟时间 4.2 ns, 4.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMN3013LDG-13
型号:DMN3013LDG-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.190409 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00