QS8M12TCR
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
QS8M12TCR
制造商
ROHM(罗姆)
商品描述
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Discontinued at Digi-Key
FET 类型
N and P-Channel
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
42mOhm @ 4A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
3.4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
250pF @ 10V
功率 - 最大值
1.5W
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装
TSMT8
QS8M12TCR 同类别型号
注
QS8M12TCR
型号：QS8M12TCR
品牌：ROHM
供货：锐单
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单价：
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