RD3G600GNTL
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- 制造商编号：
- RD3G600GNTL
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- RD3G600GN IS A POWER MOSFET WITH
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥25.457213 | ￥25.46 |
| 10 | ￥22.871715 | ￥228.72 |
| 100 | ￥18.384882 | ￥1838.49 |
| 500 | ￥15.105145 | ￥7552.57 |
| 1000 | ￥12.515801 | ￥12515.80 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 3.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 46.5 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RD3G600GN
单位重量 330 mg
RD3G600GNTL 同类别型号
注
RD3G600GNTL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、RD3G600GNTL
数据手册PDF。
RD3G600GNTL
型号：RD3G600GNTL
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥25.457213 |
| 10+： | ￥22.871715 |
| 100+： | ￥18.384882 |
| 500+： | ￥15.105145 |
| 1000+： | ￥12.515801 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥25.46