货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥22.202824 | ¥22.20 |
10 | ¥19.94785 | ¥199.48 |
100 | ¥16.034602 | ¥1603.46 |
500 | ¥13.174139 | ¥6587.07 |
1000 | ¥10.915811 | ¥10915.81 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 3.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 46.5 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RD3G600GN
单位重量 330 mg
购物车
0RD3G600GNTL
型号:RD3G600GNTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥22.202824 |
10+: | ¥19.94785 |
100+: | ¥16.034602 |
500+: | ¥13.174139 |
1000+: | ¥10.915811 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.20