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DMN12M7UCA10-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN12M7UCA10-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN3015-
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:5000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
5000 2.424724 12123.62

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 20.2 A

漏源电阻 2.75 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 35.7 nC

耗散功率 1.73 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 2830 ns

上升时间 1468 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 2914 ns

典型接通延迟时间 880 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 2.600 mg

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DMN12M7UCA10-7

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型号:DMN12M7UCA10-7

品牌:DIODES

供货:锐单

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