货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥8.482165 | ¥8.48 |
200 | ¥3.283418 | ¥656.68 |
500 | ¥3.168211 | ¥1584.11 |
1000 | ¥3.110608 | ¥3110.61 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 -
漏源电阻 4.2 mOhms, 4.2 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 27 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 92 us, 92 us
正向跨导(Min) 4.7 S, 4.7 S
上升时间 640 ns, 640 ns
晶体管类型 2 N-channel
典型关闭延迟时间 11.8 us, 11.8 us
典型接通延迟时间 30 ns, 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3.350 mg
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0EFC6612R-TF
型号:EFC6612R-TF
品牌:ON
供货:锐单
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1+: | ¥8.482165 |
200+: | ¥3.283418 |
500+: | ¥3.168211 |
1000+: | ¥3.110608 |
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