货期: 8周-10周
起订量:5000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5000 | ¥4.015708 | ¥20078.54 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 23 A
漏源电阻 4.7 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 75 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2800 ns
上升时间 890 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 4100 ns
典型接通延迟时间 280 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 194.792 mg
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0EFC3J018NUZTDG
型号:EFC3J018NUZTDG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
5000+: | ¥4.015708 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00