DMT6017LDV-7
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- 制造商编号：
- DMT6017LDV-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI33
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：2000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥4.81494 | ￥9629.88 |
| 4000 | ￥4.478524 | ￥17914.10 |
| 6000 | ￥4.473016 | ￥26838.10 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 65 V
漏极电流 25.3 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 15.3 nC
耗散功率 980 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.3 ns
上升时间 5.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 11.7 ns
典型接通延迟时间 4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
DMT6017LDV-7 同类别型号
注
DMT6017LDV-7
型号：DMT6017LDV-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2000+： | ￥4.81494 |
| 4000+： | ￥4.478524 |
| 6000+： | ￥4.473016 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00