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起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥1.990591 | ¥4976.48 |
| 5000 | ¥1.853254 | ¥9266.27 |
| 12500 | ¥1.784642 | ¥22308.03 |
| 25000 | ¥1.716031 | ¥42900.78 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 20 mOhms, 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 19.1 nC, 21.5 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.8 ns, 25.5 ns
上升时间 7.1 ns, 19.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15.1 ns, 34.9 ns
典型接通延迟时间 5.3 ns, 8.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMC4029SSDQ-13
型号:DMC4029SSDQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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| 2500+: | ¥1.990591 |
| 5000+: | ¥1.853254 |
| 12500+: | ¥1.784642 |
| 25000+: | ¥1.716031 |
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