RS1E350BNTB
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- RS1E350BNTB
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥4.383927 | ￥10959.82 |
| 5000 | ￥4.270094 | ￥21350.47 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 1.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 185 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 105 ns
上升时间 215 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 235 ns
典型接通延迟时间 45 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS1E350BN
单位重量 771.020 mg
RS1E350BNTB 同类别型号
注
RS1E350BNTB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、RS1E350BNTB
数据手册PDF。
RS1E350BNTB
型号：RS1E350BNTB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥4.383927 |
| 5000+： | ￥4.270094 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00