货期:(7~10天)
起订量:7
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
7 | ¥25.787944 | ¥180.52 |
20 | ¥24.796148 | ¥495.92 |
50 | ¥23.80421 | ¥1190.21 |
100 | ¥22.812416 | ¥2281.24 |
300 | ¥21.820622 | ¥6546.19 |
500 | ¥20.828684 | ¥10414.34 |
1000 | ¥19.83689 | ¥19836.89 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 1.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 185 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 105 ns
上升时间 215 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 235 ns
典型接通延迟时间 45 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS1E350BN
单位重量 771.020 mg
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0RS1E350BNTB
型号:RS1E350BNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
7+: | ¥25.787944 |
20+: | ¥24.796148 |
50+: | ¥23.80421 |
100+: | ¥22.812416 |
300+: | ¥21.820622 |
500+: | ¥20.828684 |
1000+: | ¥19.83689 |
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