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RS1E350BNTB

ROHM(罗姆)
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制造商编号:
RS1E350BNTB
制造商:
ROHM(罗姆)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
渠道:
digikey

库存 :1899

货期:(7~10天)

起订量:7

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
7 25.787944 180.52
20 24.796148 495.92
50 23.80421 1190.21
100 22.812416 2281.24
300 21.820622 6546.19
500 20.828684 10414.34
1000 19.83689 19836.89

规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 35 A

漏源电阻 1.2 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 185 nC

耗散功率 35 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 105 ns

上升时间 215 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 235 ns

典型接通延迟时间 45 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 RS1E350BN

单位重量 771.020 mg

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RS1E350BNTB

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型号:RS1E350BNTB

品牌:ROHM

供货:锐单

库存:1899 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

7+: ¥25.787944
20+: ¥24.796148
50+: ¥23.80421
100+: ¥22.812416
300+: ¥21.820622
500+: ¥20.828684
1000+: ¥19.83689

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