SI8809EDB-T2-E1
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- 制造商编号：
- SI8809EDB-T2-E1
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
- 渠道：
- digikey
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI8809EDB-T2-E1
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
90mOhm @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
15nC @ 8V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
4-Microfoot
封装/外壳
4-XFBGA
SI8809EDB-T2-E1 同类别型号
注
SI8809EDB-T2-E1品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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SI8809EDB-T2-E1
型号：SI8809EDB-T2-E1
品牌：SILICONIX
供货：锐单
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