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数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥2.675786 | ¥8027.36 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 22 mOhms, 8 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V, 800 mV
栅极电荷 3.7 nC, 8 nC
耗散功率 1.96 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.9 ns, 2.4 ns
上升时间 1.8 ns, 2.5 ns
典型关闭延迟时间 7.2 ns, 11.7 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns, 5.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMN3022LDG-13
型号:DMN3022LDG-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.675786 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00