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起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥3.144465 | ¥7861.16 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A, 4.5 A
漏源电阻 30 mOhms, 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2.5 V
栅极电荷 4 nC, 8 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns, 50 ns
上升时间 27 ns, 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns, 70 ns
典型接通延迟时间 6 ns, 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
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0SH8M12TB1
型号:SH8M12TB1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥3.144465 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00