
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥37.939464 | ¥37.94 |
| 10 | ¥24.385284 | ¥243.85 |
| 100 | ¥16.668888 | ¥1666.89 |
| 500 | ¥13.366625 | ¥6683.31 |
| 1000 | ¥13.201098 | ¥13201.10 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 12.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 27 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS1L120GN
单位重量 771.020 mg
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0RS1L120GNTB
型号:RS1L120GNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥37.939464 |
| 10+: | ¥24.385284 |
| 100+: | ¥16.668888 |
| 500+: | ¥13.366625 |
| 1000+: | ¥13.201098 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥37.94