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起订量:5000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5000 | ¥8.273831 | ¥41369.15 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 5 mOhms, 5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.7 us, 5.7 us
上升时间 2 us, 2 us
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 us, 26 us
典型接通延迟时间 2.7 us, 2.7 us
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3.530 mg
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0EFC4C012NLTDG
型号:EFC4C012NLTDG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
5000+: | ¥8.273831 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00