NVMFD5C478NWFT1G
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.874049 | ￥9.87 |
| 200 | ￥3.830734 | ￥766.15 |
| 500 | ￥3.69864 | ￥1849.32 |
| 1000 | ￥3.632593 | ￥3632.59 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 27 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 6.3 nC
耗散功率 23 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.5 ns
正向跨导（Min） 2 S
上升时间 13 ns
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 161.193 mg
NVMFD5C478NWFT1G 同类别型号
注
NVMFD5C478NWFT1G
型号：NVMFD5C478NWFT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.874049 |
| 200+： | ￥3.830734 |
| 500+： | ￥3.69864 |
| 1000+： | ￥3.632593 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.87