NVMFD5C478NLWFT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.034046 | ￥4.03 |
| 200 | ￥1.560467 | ￥312.09 |
| 500 | ￥1.505953 | ￥752.98 |
| 1000 | ￥1.478696 | ￥1478.70 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 14.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 8.1 nC
耗散功率 23 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.5 ns
正向跨导（Min） 25 S
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 161.193 mg
NVMFD5C478NLWFT1G 同类别型号
注
NVMFD5C478NLWFT1G
型号：NVMFD5C478NLWFT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.034046 |
| 200+： | ￥1.560467 |
| 500+： | ￥1.505953 |
| 1000+： | ￥1.478696 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.03