货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥28.169782 | ¥28.17 |
10 | ¥23.404498 | ¥234.04 |
100 | ¥18.629285 | ¥1862.93 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 27.5 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 15 V, + 15 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 120 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 190 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 72 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 4.83 mm
长度 10.29 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 4 g
购物车
0NTB25P06T4G
型号:NTB25P06T4G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥28.169782 |
10+: | ¥23.404498 |
100+: | ¥18.629285 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥28.17