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起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥5.931866 | ¥17795.60 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, NPN
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 23.6 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 56.5 nC
耗散功率 2.67 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6208 ns
上升时间 1694 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 4749 ns
典型接通延迟时间 603 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.600 mg
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0DMN13M9UCA6-7
型号:DMN13M9UCA6-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥5.931866 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00