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制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 3.8 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 54 nC
耗散功率 25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 41 ns
正向跨导(Min) 60 S
上升时间 29 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 8.8 ns
高度 0.7 mm
长度 4.85 mm
宽度 3.95 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRL6297SDTRPBF SP001578724
单位重量 500 mg
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0IRL6297SDTRPBF
型号:IRL6297SDTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
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