货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥15.121008 | ¥15.12 |
200 | ¥5.861191 | ¥1172.24 |
500 | ¥5.645177 | ¥2822.59 |
1000 | ¥5.54437 | ¥5544.37 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 1.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 70 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 256 S
上升时间 140 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 99.445 mg
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0NVMJS1D5N04CLTWG
型号:NVMJS1D5N04CLTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.121008 |
200+: | ¥5.861191 |
500+: | ¥5.645177 |
1000+: | ¥5.54437 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.12